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1、
结果表明，随着掺硼浓度的增加，电极的电势窗口略微变小，背景电流也随之变大。
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2、
快速热处理温度、时间、降温速度、退火气氛、掺杂原子等都对硅片中点缺陷的形成及分布产生影响，进而影响氧沉淀的形成。
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3、
在掺杂剂附近的碳原子上出现较大的电荷密度，且p型比n型掺杂剂的影响更大。
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4、
对于所研究的注量范围，所观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。
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- buoyant density centrifugation[医]浮力密度离心;
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- dopant material掺杂材料;
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